págs. 1039-1046
págs. 1047-1053
págs. 1054-1060
págs. 1061-1066
págs. 1067-1072
60-GHz-Band Monolithic HEMT Amplifiers Using BCB Thin Film Layers on GaAs Substrates
M. Amano, M. Sugiura, K. Yoshihara, E. Takagi, M. Konno, N. Ono, Y. Fuchida, J. Onomura
págs. 1073-1079
págs. 1080-1085
Single 3-V Supply Operation GaAs Linear Power MESFET Amplifier for 5.8-GHz ISM Band Applications
T. Seshita, M. Mihara, M. Yoshimura, Y. Tanabe, K. Oya, Y. Kitaura, N. Uchitomi, Y. M. Ikeda, M. Nagaoka, H. Wakimoto
págs. 1086-1091
págs. 1092-1097
págs. 1098-1103
págs. 1104-1109
págs. 1110-1115
págs. 1116-1122
págs. 1123-1128
págs. 1129-1138
FDTD Analysis and Experiment of Fabry-Perot Cavities at 60 GHz
J. P. Daniel, H. Yuzawa, N. Hirose, T. Matsui, R. Sauleau, P. Coquet, D. Thouroude
págs. 1139-1147
págs. 1148-1153
Very-Wide-Angle Beam Propagation Methods for Integrated Optical Circuits
J. P. Hsu, T. M. Benson, P. Sewell, T. Anada, T. Hokazono, T. Hiraoka
págs. 1154-1158
págs. 1159-1165
págs. 1166-1171
págs. 1172-1176
págs. 1177-1181
págs. 1182-1187
págs. 1188-1194
págs. 1195-1201
págs. 1202-1210
págs. 1211-1216
págs. 1217-1222
págs. 1223-1228
págs. 1229-1235
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