Charge transfer in the presence of potential barriers
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Transient simulation of silicon devices under high carrier injection: Comparison of various time stepping schemes
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An empirical model for the electronic stopping of boron in silicon
G. Hobler, H. Pötzl, L. Palmetshofer, R. Schork, J. Lorenz, C. Tian, S. Gara, G. Stingeder
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Novel:: a nonlinear viscoelastic model for thermal oxidation of silicon
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Quantum transport:: Novel approaches in the formulation and applications to quantum-based solid-state devices
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