Electrical conduction properties of n-type Si-doped AlN with high electron mobility (>100 cm<sup>2</sup> V<sup>-1</sup> s<sup>-1</sup>)
- Autores: Toshiki Makimoto, Makoto Kasu, Yoshitaka Taniyasu
- Localización: Applied physics letters, ISSN 0003-6951, Vol. 85, Nº. 20, 2004, págs. 4672-4674
- Idioma: inglés
- Texto completo no disponible (Saber más ...)
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