Epitaxy and characterisation of dilute III-As~1~-~yN~y on GaAs and InP

• Autores: J. Wagner, K. Kohler, P. Ganser, T. Geppert, D. Serries
• Localización: IEE Proceedings: Optoelectronics, ISSN 1350-2433, Vol. 151, Nº 5, 2004, págs. 247-253
• Idioma: inglés
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