Growth of GaN~xAs~1~-~x atomic monolayers and their insertion in the vicinity of GaInAs quantum wells

• Autores: M. Le Du, J. C. Harmand
• Localización: IEE Proceedings: Optoelectronics, ISSN 1350-2433, Vol. 151, Nº 5, 2004, págs. 254-258
• Idioma: inglés
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