Intrinsic limits on electron mobility in disordered dilute nitride semiconductor alloys

• Autores: A. Lindsay, E. P. O Reilly, S. Fahy
• Localización: IEE Proceedings: Optoelectronics, ISSN 1350-2433, Vol. 151, Nº 5, 2004, págs. 352-356
• Idioma: inglés
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