Highly Spin-Polarized Room-Temperature Tunnel Injector for Semiconductor Spintronics using MgO(100)

• Autores: R. M. Shelby, X. Jiang, R. M. Macfarlane, R. Wang
• Localización: Physical review letters, ISSN 0031-9007, Vol. 94, Nº. 5, 2005, pág. 56601
• Idioma: inglés
• Texto completo no disponible (Saber más ...)