Transient picosecond Raman studies of electron and hole velocity overshoots in a GaAs-based p-i-n semiconductor nanostructure

• Autores: J. M. Barker, C. Poweleit, K. T. Tsen, W. Liang
• Localización: Journal of physics: Condensed matter, ISSN 0953-8984, Nº. 10, 2005, págs. 1679-1686
• Idioma: inglés
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