Intrinsic Vacancy-Induced Nanoscale Wire Structure in Heteroepitaxial Ga~2Se~3/Si(001)

• Autores: T. Ohta, D. A. Schmidt
• Localización: Physical review letters, ISSN 0031-9007, Vol. 94, Nº. 11, 2005, pág. 116102
• Idioma: inglés
• Texto completo no disponible (Saber más ...)