Fabricacion de peliculas delgadas de VO2 por sputtering RF

• Autores: H. Coy, J.W. Coronel, G. Bolaños, María F. Córdoba, W. Lopera, C. Quinayas, K. Gross, P. Prieto
• Localización: Revista de la Sociedad Colombiana de Física, ISSN-e 0120-2650, Vol. 37, Nº. 1, 2005, págs. 74-77
• Idioma: español
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• Resumen

  • Utilizando un sistema de pulverización RF (Magnetrón Sputtering ) a 13.56 MHz en una atmósfera de argón puro a presiones de 9 x 10-3 mbar hemos depositado ¿in situ¿ películas delgadas de VO2 sobre sustratos de Si, las cuales muestran una transición semiconductor ¿ metal con cambios en la resistencia eléctrica desde 2 x 103 W hasta 19 W a una temperatura de 65 °C. La morfología de la superficie de las películas fue analizada por Microscopia de Fuerza Atómica, AFM, obteniendo una rugosidad rms de 18 Å y un tamaño de grano del orden de 150 nm.