Resumen de Influencia del ataque químico en las propiedades ópticas de películas epitaxiales de GaInAsSb
John Jairo Prías Barragán, G. A. Álvarez, Hernando Ariza Calderón, D.G. Espinosa-Arbeláez, L. Tirado-Mejía
Presentamos el estudio de espectros de fotorreflectancia (FR) tomados antes y después del tratamiento químico de una película de GaInAsSb/GaSb crecida mediante la técnica de epitaxia en fase líquida (EFL), los espectros fueron tomados en el rango de temperatura desde 12K hasta 200K. Los ajustes se realizaron con formas de línea lorentziana de tercera derivada para la transición in-terbanda Eo. Los parámetros que describen la variación de la energía con la temperatura fueron evaluados mediante las relaciones semiempíricas del tipo Bose-Einstein. La dependencia del parámetro de ensanchamiento con la temperatura fue descrita por relaciones del tipo Bose-Einstein. Se discuten los efectos del ataque químico en el comportamiento óptico del material.
