Resumen de Caracterización I-V de estructuras tipo Ag-(P)Si-Sip
F. Racedo, G. Bolaños, L.F. Idrobo, W. Pérez, W. Rivera
En el presente trabajo se hace un estudio comparativo de las curvas características de corriente-voltaje (I-V) de barreras Schottky de Ag-Si-Au con respecto a heteroestructuras con silicio poroso (P)Si del tipo Ag-(P)Si-Si-Au. La capa de silicio poroso se formó por medio de un ataque anódico de una oblea de silicio tipo p (Sip) en una celda electroquímica con una solución de ácido fluor-hídrico. La caracterización I-V de los dispositivos se realizó con un proceso automático de adqui-sición de datos mediante una tarjeta del tipo DAQ PCI 1200 y un desarrollo en LabView. La capa de silicio poroso produce un cambio de corriente de 17.3 mA/cm2 para una polarización de 0.25 V en el régimen de oscuridad. Bajo iluminación la heteroestructura de Ag-(P)Si-Si-Au presenta una fotocorriente que genera una autopolarización o fotovoltaje de 40 mV cuando se utiliza un láser con luz de l=6328 Å. La heteroestructura con silicio poroso presenta características rectificantes y fotovoltaicas apropiadas para fabricar fotosensores.
