Atomic Layer Chemical Vapor Deposition (ALCVD) of Hf and Zr Silicate and Aluminate High-k Gate Dielectric for Next Generation Nano Devices (Journal Review)

• Autores: S.-W. Rhee, W.-H. Nam, W.-K. Kim, S.-H. Kim
• Localización: Journal of chemical engineering of Japan: An official publication of the Society of Chemical Engineers, ISSN 0021-9592, Nº. 8, 2005, págs. 578-587
• Idioma: inglés
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