Presente y futuro de los IGBT

• Autores: M. Vellvehí, D. Flores, J. Millán, Xavier Jordá Sanuy
• Localización: Mundo electrónico, ISSN 0300-3787, Nº 294, 1999, págs. 42-47
• Idioma: español
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• Resumen

  • La necesidad de aumentar la capacidad en tensión y corriente de los IGBT ha favorecido la aparición de diversas técnicas que mejoran sensiblemente las pérdidas en conmutación y la resistencia en conducción de estos dispositivos. En este artículo se presenta un resumen de los recientes avances en la tecnología de fabricación de IGBT, así como los nuevos conceptos estructurales (trincheras, arquitectura lateral...) que en un futuro inmediato se aplicarán a escala industrial