Filling Fraction Limit for Intrinsic Voids in Crystals: Doping in Skutterudites

• Autores: L. D. Chen, X. Shi, W. Zhang
• Localización: Physical review letters, ISSN 0031-9007, Vol. 95, Nº. 18, 2005, pág. 185503
• Idioma: inglés
• Texto completo no disponible (Saber más ...)