El transistor bipolar de Heterounión (HBT) de InGaP/GaAs

• Autores: D. Floriot, Pedro Manuel Gutiérrez Conde, María Susana Pérez Santos, S. L Delage, J. Obregón
• Localización: Revista española de electrónica, ISSN 0482-6396, Nº 541, 1999, págs. 74-80
• Idioma: español
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• Resumen

  • Partiendo de una somera descripción de los susbtratos utilizados habitualmente para la fabricación de los HBT's, se describen de manera detallada las principales topologías y circuitos equivalentes implementados en los simuladores para un transistor de potencia implementados en los simuladores para un transistor de potencia InGaP/GaAs. Finalmente se dedica especial atención a los fenómenos de disipación térmica y ruido de baja frecuencia en dicho dispositivo.