InGaP/GaAs heterojunction bipolar transistor grown by solid-source molecular beam epitaxy with a GaP decomposition source

• Autores: B.N. Mao, X.Z. Shang, L.W. Guo, Q. Huang, J.M. Zhou, P.J. Niu, W.X. Wang
• Localización: Solid state communications, ISSN 0038-1098, Vol. 138, Nº. 3, 2006, págs. 114-117
• Idioma: inglés
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