Dependencia con la temperatura de la energía de la transición fundamental y el parámetro de ensanchamiento en muestras gainassb determinada por fotorreflectancia

• Autores: L. Torres, J. J. Prias Barragán, G. A. Álvarez, D.G. Espinosa-Arbeláez
• Localización: Revista de la Sociedad Colombiana de Física, ISSN-e 0120-2650, Vol. 38, Nº. 1, 2006, págs. 125-128
• Idioma: español
• Texto completo no disponible (Saber más ...)
• Resumen

  • Se estudió por medio de la técnica de fotorreflectancia la dependencia con la temperatura de la energía de la transición fundamental E0 y el parámetro fenomenológico de ensanchamiento ?0, en muestras cuaternarias de GaInAsSb. Las muestras estudiadas fueron fabricadas por medio de la técnica de epitaxia en fase líquida. La dependencia de la transición E0 con la temperatura se ajusto empleando varias formas funcionales ampliamente reportadas en la literatura para este material. Por otro lado, el parámetro ?0 exhibe un aumento y dependencia acorde a la expresión de Einstein. Se estudia y propone el uso de diferentes modelos de ajuste a los espectros experimentales, con el fin de determinar la dependencia de estos parámetros con la temperatura.