Estudio de los Estados Electrónicos de la Superficie (112) de CuInSe2, usando tight-binding y SGFM e incluyendo distorsiones

• Autores: José del Carmen Otálora Acevedo, Jairo Arbey Rodríguez Martínez
• Localización: Revista de la Sociedad Colombiana de Física, ISSN-e 0120-2650, Vol. 38, Nº. 1, 2006, págs. 145-148
• Idioma: español
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• Resumen

  • Usando tight-binding y Surface Green's Function Matching (SGFM), se estudian los cambios producidos por las distorsiones tetragonal y aniónica sobre los estados electróni¬cos y las densidades de estados localizadas (LDOS) de la superficie metálica (112) del semiconductor CuInSe2. Los parámetros de la celda bi-dimensional y la distancia entre los planos atómicos cambian con las distorsiones. En consecuencia, las bandas electrónicas también cambian. En ambos casos, con distorsión y sin distorsión, aparecen estados dentro de la brecha de energías prohibidas del volumen. El efecto de las distorsiones sobre otras partes de las bandas es notorio. No se han considerado reconstrucciones o relajaciones en esta superficie. La inclusión de las distorsiones en un cálculo de bandas usando tight-binding no se había realizado, hasta donde sabemos.