Resumen de Crecimiento de películas de CdTe:Al
J. L. Peña, M. Zapata Torres, M. González Alcudia, M. Meléndez-Lira
Se crecieron películas del compuesto ternario CdTe:Al utilizando la técnica transporte de vapor en espacio reducido combinado con evaporación libre (CSVT-FE, por su siglas en inglés). La evaporación del aluminio (Al) se realizó a partir de dos tipos de fuente; una construida de grafito y la otra de tantalio. Las películas fueron crecidas sobre substratos de vidrio Corning. Con el objetivo de lograr diferentes concentraciones de aluminio se varío la temperatura de la fuente del Al, manteniendo fijas las temperaturas de la fuente de CdTe y la del substrato. Las películas fueron caracterizadas utilizando difracción de rayos-X, análisis por dispersión de energía de rayos-X (EDAX, por su siglas en inglés) y transmisión óptica. Los resultados mostraron que en las películas crecidas con la fuente de grafito para la evaporación del Al, este no se incorporó en la matriz, al menos al nivel de sensibilidad de la técnica de cuantificación de EDAX; se mantuvo siempre la misma estructura cristalográfica y el ancho de energía prohibida del CdTe. En las muestras crecidas con fuente de tantalio si se logró incorporar el Al. Los patrones de difracción de rayos-X mostraron que las películas exhibieron un tipo de estructura cristalina dependiente de la concentración de aluminio. Las películas mantuvieron la fase cúbica hasta una concentración de Al del 2.16% at; para 19.65% at de Al se obtuvo una combinación de fases; para concentraciones mayores a 21% at las películas fueron amorfas. Se estudiaron las muestras que mantuvieron una estructura cúbica, encontrándose que el parámetro de red va disminuyendo y el ancho de banda de energía prohibida aumenta conforme se incrementa la concentración de Al.
