Caracterización eléctrica de películas semiconductoras de Ga1-xInxAsySb1-y

• Autores: J. Segura, Diego F. Gutiérrez, Hernando Ariza Calderón, D.G. Espinosa-Arbeláez, L. Tirado-Mejía, C. Ortiz, P. Prieto, A. Villada
• Localización: Revista de la Sociedad Colombiana de Física, ISSN-e 0120-2650, Vol. 38, Nº. 2, 2006, págs. 505-508
• Idioma: español
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• Resumen

  • En este trabajo se estudia, empleando el método de las cuatro puntas de Van der Pauw, el tipo y la concentración de portadores de una serie de películas epitaxiales de Ga1-xInxAsySb1-y, fabricadas por la técnica de Epitaxia en Fase Líquida, sobre sustratos monocristalinos de GaSb:Te (100). Se encontró que las muestras son tipo n con una alta densidad de portadores. Así mismo, se tomaron curvas I-V para contactos eléctricos de Au y de Ag, observándose un comportamiento no lineal en ambos casos, característico de un contacto bloqueante o barrera Schottky. Las mejores características como dispositivo Schottky, fueron exhibidas por el contacto de Ag.