Time-Domain Ab Initio Simulation of Electron and Hole Relaxation Dynamics in a Single-Wall Semiconducting Carbon Nanotube

• Autores: B. F. Habenicht
• Localización: Physical review letters, ISSN 0031-9007, Vol. 96, Nº. 18, 2006, pág. 187401
• Idioma: inglés
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