Comparative study of trap-limited hydrogen diffusion in amorphous SiC, Si~0~.~6~6C~0~.~3~3N~1~.~3~3, and SiN~1~.~3~3 films

• Autores: G. Borchardt, H. Schmidt
• Localización: Journal of physics: Condensed matter, ISSN 0953-8984, Nº. 23, 2006, págs. 5363-5370
• Idioma: inglés
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