Numerical simulation and analysis of the dark and illuminated J-V characteristics of a-Si-H p-i-n diodes

• Autores: A. F. Meftah, A. M. Meftah
• Localización: Journal of physics: Condensed matter, ISSN 0953-8984, Nº. 23, 2006, págs. 5459-5472
• Idioma: inglés
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