Effect of proton fluence on point defect formation in epitaxial silicon for radiation detectors

• Autores: G. Lindstroem, E. Fretwurst, M. Paw¿owski, E. Nossarzewska-Or¿owska, P. Kami¿ski, R. Koz¿owski
• Localización: Nuclear instruments & methods in physics research. Section A, Accelerators, spectrometers, detectors and associated equipment, ISSN 0168-9002, Vol. 552, Nº. 1, 2005, págs. 71-76
• Idioma: inglés
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