Computer simulation of the a-Si:H p-i-n solar cell performance sensitivity to the free carrier's mobilities, the capture cross sections and the density of gap states

• Autores: A. Belghachi, A. F. Meftah, A. M. Meftah
• Localización: Journal of physics: Condensed matter, ISSN 0953-8984, Nº. 41, 2006, págs. 9435-9446
• Idioma: inglés
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