A threshold-voltage model of SiGe-channel pMOSFET without Si cap layer.

• Autores: X. Zou, J.P. Xu, C. X. Li, P.T. Lai, W.B. Chen
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 2-3, 2007, págs. 391-394
• Idioma: inglés
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