Resumen de Semiconductores de potencia: segunda parte: tecnología de encapsulado y desarrollos futuros
Los semiconductores de potencia se han extendido durante las últimas décadas a una amplia gama de aplicaciones. Esta extensión ha sido consecuencia del continuo y rápido desarrollo de la tecnología de semiconductores de potencia, que ha conseguido dispositivos muy potentes, efectivos y fáciles de usar. En la primera parte de este artículo, publicado en la anterior edición de la Revista ABB1), se discutieron aspectos del diseño y optimización de los chips y se expusieron diversas consideraciones para la aplicación de diversas clases de dispositivos, especialmente los IGBT e IGCT. La continua optimización del silicio ha acercado cada vez más los rendimientos a los límites físicos y tecnológicos. El resultado de ello es que, dejando aparte la posibilidad de que surjan avances radicalmente nuevos, el potencial de nuevas mejoras en este aspecto del diseño está disminuyendo. Los encapsulados para dispositivos de semiconductores, sin embargo, aún tienen un potencial considerable para impulsar el rendimiento. Por consiguiente, este artículo profundiza en este aspecto. Hoy día, casi todos los semiconductores de potencia comerciales se basan por completo en el silicio. Mirando al futuro, este artículo discute el potencial de los llamados materiales de ¿amplio salto de banda¿, como el carburo de silicio, el nitruro de galio y el diamante.
