Resumen de Dependencia de rugosidad de escala con la temperatura

C.W. Sánchez, J. G. Ramírez, M. E. Gómez, W. Lopera, J.C. Caicedo

• español

  Se realizó un estudio estadístico cuantitativo en imágenes obtenidas con un Microscopio de Fuerza Atómica (AFM) de películas delgadas de La2/3Ca1/3MnO3 (LCMO). Las películas fueron crecidas mediante la técnica de Sputtering DC a altas presiones oxígeno, con un espesor de 78nm sobre substrato monocristalino de (100)-SrTiO3 variando sistemáticamente la temperatura deposición (Td). Las películas fueron caracterizadas por medidas resistencia en función de la temperatura para determinar la temperatura de transición metal-aislante (TMI). Se realizo un análisis morfológico a las muestras mediante la técnica de Microscopia de Fuerza Atómica. De las imágenes digitalizadas se obtuvo el valor de exponente de rugosidad (a), longitud de correlación (?//) y Rugosidad de saturación (ssat). A partir de la caracterización eléctrica y morfológica, se correlacionaron los parámetros de rugosidad para cada temperatura de deposición. Se encontró que al aumentar Td, el exponente de rugosidad (a) aumenta indicando un aumento del ordenamiento estructural debido a los procesos difusivos. De la caracterización eléctrica se obtuvo que la temperatura de transición metal-aislante (TMI) aumenta a medida que aumenta Td, lo cual corrobora el aumento de ordenamiento estructural.

• English

  A quantitative statistical study was done on digitized atomic force microscope (AFM) images of La2/3Ca1/3MnO3 (LCMO) thin films. Films were grown via sputtering technique at high-oxygen pressures, with 78 nm layer thicknesses on (100) oriented SrTiO3 substrate. We have systematically varied the substrate temperature during deposition between 700oC and 880oC, around the optimized growth temperature of 850 °C to study the influence of the growth parameters on the properties of the films. The films were characterized by thermal resistivity measurements to determine the insulator to metallic phase transition temperature existing in this material in block and in thin films. By using a specific self-designed algorithm, we can extract from digitized AFM-images the quantitative values of roughness parameters, i.e., interface width, lateral correlation length, and roughness exponent. Herein, we report substrate temperature dependence of the parameters describing roughness. We will correlate the growth parameters, roughness parameters and insulatormetal transition temperature in these ferromagnetic LCMO thin films.