Resumen de Propiedades electrónicas y densidad de estados del carbón a alta presión

M. Y. Suárez V., R. Cardona, Jairo Arbey Rodríguez Martínez, F. Fajardo

• español

  Mostramos la variación en la estructura de bandas, densidad de estados, gap de energía y la constante de red del carbón en su fase diamante, a medida que la presión se incrementa de 0 a 240 GPa. El estudio se realiza a partir de primeros principios utilizando la Teoría del Funcional Densidad con la aproximación de gradiente generalizado. En este intervalo de presiones se observa que la forma de la estructura de bandas es muy estable, el carácter de semiconductor indirecto se mantiene, y que en la banda de valencia la contribución de los orbitales p es predominante alrededor del nivel de Fermi.

• English

  We show the variation on band energy structure, density of states, energy gap and lattice constant of diamond carbon phase when pressure is increased from 0 to 240 GPa. The study was made from first principles using the Density Functional Theory within the generalized gradient approximation. In this interval of pressure variation we found that the bands shape is very stable, the indirect semiconductor characteristic is preserved, and in the valence band p orbital contribution is more important around the Fermi level.