Respuesta óptica de sustratos de GaSb dopados con Te y no dopados

• Autores: L. Tirado-Mejía, Gerardo Fonthal, M. de los Ríos, M. Saavedra, Hernando Ariza Calderón
• Localización: Revista de la Sociedad Colombiana de Física, ISSN-e 0120-2650, Vol. 39, Nº. 1, 2007, págs. 297-300
• Idioma: español
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• Resumen
  • español

    Se caracterizaron ópticamente monocristales comerciales de GaSb dopados con Te y no dopados, por medio de fotoluminiscencia, Raman y EDS. En la respuesta Raman se observa que las intensidades del pico asociado al fonón LO son similares en todas las muestras y presentan diferencias en un pico más pequeño, asociado al fonón TO, siendo el de menor intensidad el de la muestra no dopada. Los resultados obtenidos por EDS para la estequiometría de los sustratos, muestran desviaciones hasta de 4% de la relación 50:50 esperada, indicando presencia de defectos en la estructura cristalina. Un estudio zonal sobre la superficie de las muestras hecho por fotoluminiscencia confirma lo anterior. El estudio por fotoluminiscencia en la muestra no dopada evidenció la presencia del defecto VGa-GaSb, presentando además un pico en 753 meV no reportado aún en la literatura.

  • English

    Commercial GaSb single crystals, Te doped and undoped, were characterized optically by means of photoluminescence, Raman and EDS techniques. In the Raman response, it is observed that the intensity of the peak associated to LO-phonon is the same for all samples, and the intensity of the smaller peak, associated to TO-phonon, is different for all samples being smaller for the undoped sample. EDS results obtained for the stoichiometry of the substrates, show deviations from the expected 50:50 relation, even of 4%, indicating the presence of defects in the crystalline structure. This is confirmed by a zonal study by photoluminescence on the samples surface. By photoluminescence study it was evidenced the presence of VGA-GaSb defect, as well as the presence of an additional peak in 753 meV still not reported in the literature.