Channel hot carrier effects in n-MOSFET devices of advanced submicron CMOS technologies.

• Autores: G. La Rosa, S.E. III Rauch
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 4-5, 2007, págs. 552-558
• Idioma: inglés
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