Negative bias temperature instabilities in sequentially stressed and annealed p-channel power VDMOSFETs.

• Autores: D. Dankovic, I. Manic, V. Davidovic, S. Djoric-Veljkovic, S. Golubovic, N. Stojadinovic
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 9-11, 2007, págs. 1400-1405
• Idioma: inglés
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