A. Mosquera, Jose Arana Varela, A. C. Caballero, Jorge Enrique Rodríguez Páez
El óxido de estaño ha despertado gran interés científico y tecnológico por su potencial uso en la obtención varistores. Con el fin de mejorar las propiedades microestructurales y eléctricas que estos dispositivos presentan se viene estudiando el efecto de incorporar diferentes dopantes, entre ellos el TiO2 y la Al2O3. El efecto que estos óxidos tienen sobre el comportamiento de los varistores del sistema Sn-Co-Nb-Ti-Al, obtenidos a través del método de precursor polimérico (Pechini), fue investigado en este trabajo. La materia prima sintetizada se caracterizó utilizando Difracción de Rayos X (DRX) y Microscopía Electrónica de Barrido (MEB). Muestras sinterizadas se caracterizaron microestructural y eléctricamente encontrándose que el TiO2, aparentemente, favorece el crecimiento de grano y la Al2O3 contribuye a la disminución del mismo, efecto que se manifiesta en los varistores con base en Sn-Co-Nb. El campo de ruptura se incrementó hasta los 6300V/cm al aumentar el contenido de Al2O3 y se obtuvieron coeficientes de no-linealidad de 22.
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