The self-formatting barrier characteristics of Cu¿Mg/SiO2 and Cu¿Ru/SiO2 films for Cu interconnects.

• Autores: S.-M. Yi, K.-H. Jang, J.-U. An, S.-S. Hwang, Y.-C. Jo
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 48, Nº. 5, 2008, págs. 744-748
• Idioma: inglés
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