Effect of the pre-gate oxide cleaning temperature on the reliability of GOI and devices performances in deep submicron CMOS technology.

• Autores: Y.T. Chiang, Y.K. Fang, Y.J. Huang, T.H. Chou, S.Y. Yeh, C.S. Lin
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 48, Nº. 11-12, 2008, págs. 1786-1790
• Idioma: inglés
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