Significantly improving sub-90 nm CMOSFET performances with notch-gate enhanced high tensile-stress contact etch stop layer.

• Autores: C.-W. Hsu, Y.-K. Fang, W.-K. Yeh, C.-T. Lin
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 48, Nº. 11-12, 2008, págs. 1791-1794
• Idioma: inglés
• Texto completo no disponible (Saber más ...)