Resumen de Photovoltage and J-V features of porous silicon

M. C. Arenas, Hailin Hu, J. Antonio del Río, Óscar H. Salinas

• EN ESTE ARTÍCULO PRESENTAMOS UN ESTUDIO SISTEMA´TICO ACERCA DE LA INFLUENCI QUE TIENEN LAS PROPIEDADES ELÉCTRICAS, DE ESTRUCTURA Y O´PTICAS DEL SILICIO POROSO (PS) SOBRE LAS RESPUESTAS DE FOTO-VOLTAJE Y J-V DE LOS DISPOSITIVOS PREPARADOS CON ESTE MATERIAL. DISPOSITIVOS ELECTRO´NICOS SON PREPARADOS FORMANDO UNA CAPA DE PS (TIPO P O TIPO N, PPS Y NPS RESPECTIVAMENTE) SOBRE UN SUBSTRATO DE SILICIO CRISTALINO (TIPO P O TIPO N, PSI Y NSI RESPECTIVAMENTE). DOS METALES DIFERENTES SON DEPOSITADOS COMO ELECTRODOS DE CONTACTO. LAS RESPUESTAS ELÉCTRICAS DE DENSIDAD DE CORRIENTE CONTRA VOLTAJE (J-V) Y FOTOVOLTAICA SON ANALIZADAS. SE ENCONTRO´ QUE LA PRESENCIA DE LA CAPA PPS MODIFIC SIGNIFICAT VAMENTE LAS RESPUESTAS ELÉCTRICAS, MENCIONADAS ANTERIORMENTE, DEL MATERIAL PSI. ESTO SIGNIFIC QUE LAS PROPIEDADES OPTOELECTRO´NICAS DEL PSI SON MODIFICADA POR LA PRESENCIA DE LA CAPA DE PPS, LO CUAL PUEDE SER ENTENDIDO EN TÉRMINOS DEL ESPECTRO DE ABSORCIO´N O´PTICA DEL PS. LA PELÍCULA DE NPS NO MODIFIC LAS PROPIEDADES OPTOELECTRO´NICAS DEL MATERIAL NSI. PROPONEMOS UN DIAGRAMA DE BANDAS DE ENERGÍA PARA EXPLICAR ESTE COMPORTAMIENTO DIFERENTE DE LAS CAPAS DE PS