A low-frequency noise model for advanced gate-stack MOSFETs.

• Autores: Z. Çelik-Butler, S.P. Devireddy, H.-H. Tseng, P. Tobin, A. Zlotnicka
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 49, Nº. 2, 2009, págs. 103-112
• Idioma: inglés
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