Resumen de La tecnología basada en GaN multi-MHz sube el listón de la densidad
Gracias a su capacidad para alcanzar frecuencias de conmutación muy superiores a 5 MHz, y con el potencial de llegar hasta 60 MHz, los transistores de alta movilidad de electrones (high electron mobility transistors, HEMT) basados en nitruro de galio (GaN) sobre silicio y viables comercialmente están llamados a impulsar una nueva tendencia para las soluciones de conversión de potencia de alta frecuencia, alta densidad y alta eficiencia.
