Sub-threshold behavior of long channel undoped cylindrical surrounding-gate MOSFETs.

• Autores: W. Bian, J. He, L. Zhang, J. Zhang, M. Chan
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 49, Nº. 8, 2009, págs. 897-903
• Idioma: inglés
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