Resumen de Efecto de la Variación del Flujo de Nitrógeno Sobre las Propiedades Físicas de Películas Delgadas de Nitruro de Vanadio Crecidas por Pulverización Catódica R.F.
A. Urrutia, C. Rincón, G. Bolaños, W. de la Cruz
- español
Se crecieron películas delgadas de nitruro de vanadio usando un sistema de pulverización catódica reactiva R.F. asistida con campo magnético, las películas fueron depositadas sobre sustratos de silicio (100) y de vidrio. El blanco utilizado fue un disco de vanadio de 2 pulgadas de diámetro con una pureza de 99.99%. La temperatura del sustrato fue de 723 K duran-te el proceso de depósito. La potencia del plasma fue de 55 Watts para todos los depósitos y el flujo de nitrógeno fue varia-do en el intervalo de 0 a 5 sccm. Las concentraciones atómicas de las muestras fueron obtenidas por espectroscopia de elec-trones Auger (AES). Los resultados de AES mostraron que las muestras están constituidas por vanadio, nitrógeno e impu-rezas de oxígeno. Además, que un incremento en la presión parcial de nitrógeno en el sistema produce un incremento en la concentración de nitrógeno de las películas. La espectroscopia de electrones fotoemitidos (XPS) revela que el vanadio se encuentra en dos ambientes químicos diferentes (óxido de vanadio y nitruro de vanadio). Medidas de resistencia en función de la temperatura indican que las películas presentan un comportamiento metálico. Medidas de transmitancia de las pelícu-las en el rango ultravioleta, visible e infrarrojo fueron correlacionadas con la concentración de nitrógeno en la película.
- English
Vanadium nitride thin films were deposited by reactive magnetron sputtering R.F on silicon (100) and glass substrates. The sputtering target used in this study was a 2-inch diameter vanadium disk with a purity of 99.99%. The substrate tempera-ture was 723 K during the deposition process. The sputtering plasma power was 55W for all deposits and the nitrogen flux was varied in the 0 to 5 sccm range. Atomic concentrations of the samples were obtained by Auger spectroscopy (AES). AES results showed that the samples are formed by vanadium, nitrogen and oxygen impurities. In addition, an increase in the partial pressure of nitrogen in the system produces an augment of the nitrogen concentration in the films. X-photoelectron spectroscopy (XPS) reveals that the vanadium was in two different chemical environments (vanadium oxide and vanadium nitride). Resistance measurement as a function of temperature showed that all films have metallic behavior. Transmittance measurements in the ultraviolet, visible and infrared range were correlated whit the nitrogen concentration in the films.
