Efecto del Voltaje Bias D.C. en las Propiedades Electroquímicas de Películas Delgadas de AlN Obtenidas por Medio de la Técnica Magnetrón Sputtering R.F

• Autores: L. Yate, William A. Aperador Chaparro, J.C. Caicedo, F.J. Espinoza-Beltrán, G. Zambrano, Juan Muñoz Saldaña
• Localización: Revista de la Sociedad Colombiana de Física, ISSN-e 0120-2650, Vol. 41, Nº. 1, 2009, págs. 40-42
• Idioma: español
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• Resumen
  • español

    Se depositaron películas delgadas de nitruro de aluminio, AlN, por el método de magnetrón sputtering r.f. reactivo usando un blanco de aluminio (99.9 %), sobre sustratos de silicio [100] y acero Rus-3, para investigar la influencia del voltaje de polarización bias d.c. sobre las películas obtenidas. Los análisis de EDS mostraron que las diferentes películas presentaron composiciones de Al y N entre 89% y 85% y 10% y 14%, respectivamente. Por medio de análisis de FTIR, se encontró la presencia de modos activos alrededor de 680 cm-1 asociados a la fase wurtzita del AlN, y alrededor de 600, 950 y 980 cm-1 asociados a estructuras amorfas de Al-N y óxidos en las películas. Las propiedades electroquímicas de los recubrimientos crecidos a diferentes voltajes bias fueron comparadas con el sustrato de acero RUS-3, mediante la espectroscopia de impe-dancia electroquímica (EIS) y con curvas de polarización Tafel. La velocidad de corrosión de las muestras depositadas a 0V y -80V (9.5 y 27.9 mpy, respectivamente) fueron menores que la del acero sin recubrir (33.1 mpy), mostrando el efecto protector de la capa de AlN depositada.

  • English

    Aluminum nitride thin films were deposited onto Si [100] and Rus-3 steel substrates by reactive magnetron sputtering tech-nique from an Al (99.9%) target, in order to study the influence of the d.c. bias polarisation voltage on the obtained films. EDS analysis showed that films presented compositions of Al and N between 89% and 85% and 10% and 14%, respective-ly. By means of FTIR analysis, was found the presence of active modes around 680 cm-1 associated to the AlN wurtzita phase, and around 600, 950 and 980 cm-1 associated to Al-N amorphous structures and oxides in the films. The electro-chemical properties of the coatings growth at different bias voltages were compared with the RUS-3 substrate, by means of electrochemical impedance spectroscopy (EIS), and with Tafel polarization curves. The corrosion speed of the coatings growth at 0 and -80V (27.9 and 9.5 mpy, respectively) were lowers than that from the steel without coating (33.1 mpy), showing the protective effect of the AlN deposited films.