Resumen de Análisis Morfológico por Microscopía de Fuerza Atómica en Películas Delgadas de VO2

J.L. Ortiz, J. Morales, W. Lopera, G. Bolaños

• español

  Se fabricaron películas delgadas de Dióxido de Vanadio, VO2, sobre substratos de zafiro (0001), silicio (100) y vidrio, en una atmósfera de argón y oxígeno a una temperatura de substrato de 480ºC, utilizando un blanco (target) de vanadio metálico, mediante la técnica de Magnetrón Sputtering R.F. a 13.56 MHz. Posteriormente se realizó un recocido �in situ� de las películas, en una atmósfera de argón y oxígeno. Se estudió el efecto del substrato sobre la morfología de las películas de VO2 mediante la técnica de Microscopia de Fuerza Atómica (AFM) así como la estructura cristalina de las mismas por Difracción de Rayos X (DRX). Las muestras se caracterizaron eléctricamente mediante curvas de resistencia en función de la temperatura. Se obtuvo tamaños de grano del orden de 201, 255, 431 nm y rugosidades del orden de 21, 11 y 10 nm para las muestras crecidas sobre substratos de zafiro, silicio y vidrio respectivamente.

• English

  In this work, thin films of VO2 were grown on (0001) sapphire, (100) silicon, and glass substrates, in an argon and oxygen atmosphere at 480°C of deposition temperature. We used a target of pure metallic vanadium in an rf magnetron sputtering technique at 13.56 MHz. After deposition we have carried out an annealing �in situ� of the films at the same growth conditions.

  We have studied the dependence of the surface morphology, crystalline structure and electrical properties with the substrate. Morphology, structure and electrical properties of the samples were characterized by atomic force microscopy (AFM), x-ray diffractrometry, and resistance as function of temperature measurements respectively. We have observed grain sizes of 201, 255, 431 nm, and roughness of 21, 11, and 10 nm for the samples that were grown on sapphire, silicon, and glass, respectively.