Resumen de Fabricación de Silicio Poroso Mediante Láser Pulsado

J. E. Alfonso, H. M. Martínez, J. Torres

• español

  En este trabajo, se presentan los resultados obtenidos en la fabricacion de silicio poroso (SP) tipo p con resistividad de 0,1 �¶.m, utilizando un laser pulsado que emite en tres longitudes de ondas, 1064, 532 y 355 nm con energias de 900mJ, 450mJ y 200mJ respectivamente, con una frecuencia de repeticion de pulso de 10 Hz y con tiempo de emision de 6 ns, 5ns respectivamente. El tamano de poro ha sido determinado en funcion del tiempo de exposicion a la radiacion laser sobre la oblea de silicio, simultaneamente a las tres longitudes de onda. La caracterizacion del tamano de poro se ha realizado mediante Microscopia Electronica de Barrido (MEB), con la cual se determino que el SP tiene una microestructura esferica sobre la cual se forman poros con diametros del orden de la micra.

• English

  In this work, are presented the results obtained in the production of porous silicon (SP) type p with resistivity of 0,1 Ùm, using a pulsed laser that it emits in three wavelenghts, 1064, 532 and 355 nm, with energies of 900mJ, 450mJ, and 200mJ respectively, with frequency repetition pulse of 10 Hz and with emission times of 6 ns, 5ns respectively. The pore size has been determined in function of exposure time on the silicon wafer of the radiation laser, simultaneously to the three wavelengths. The characterization of the pore size has been carried out by Scanning Electronic Microscopy (SEM), with which we determine that the SP has a spherical micro-structure with pore size in the order of micron.