Propiedades de Transporte en Muestras Policristalinas de Zn4Sb3

• Autores: D. Cadavid, J.E. Rodríguez
• Localización: Revista de la Sociedad Colombiana de Física, ISSN-e 0120-2650, Vol. 41, Nº. 3, 2009, págs. 626-629
• Idioma: español
• Títulos paralelos:
  • Transport properties in Polycrystalline Samples of Zn4Sb3
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• Resumen
  • español

    Utilizando los métodos de reacción de estado sólido y aleación mecánica se prepararon muestras policristalinas de Zn4Sb3, sus propiedades termoeléctricas se estudiaron a partir de mediciones de coeficiente Seebeck S(T ), resistividad eléctrica ¦Ñ(T ) y conductividad térmica ¦Ê(T ) en función de la temperatura, en el rango comprendido entre 100 y 290K. El coeficiente Seebeck es positivo en todo el rango de temperatura estudiado indicando una conducción a través de portadores de carga positivos, su magnitud se incrementa con el tiempo de procesamiento y la temperatura, hasta alcanzar valores próximos 375¦ÌV/K. La resistividad eléctrica muestra un débil comportamiento semiconductor, su magnitud incrementa con el tiempo de procesamiento hasta alcanzar valores cercanos a 14m¦¸cm. La magnitud de la conductividad t¡äermica decrece con el tiempo de procesamiento hasta 0,4W/mK. A partir de las medidas de S(T ), ¦Ñ(T ) y ¦Ê(T ) se calculó la figura de m¡äerito adimensional ZT, obtenéndose valores máximos de ¡« 0,3 a temperatura ambiente.

  • English

    Polycrystalline samples of Zn4Sb3 were grown by solid state reaction method and mechanical alloying, their thermoelectric properties were studied by Seebeck coefficient S(T ), electrical resistivity ¦Ñ(T ) and thermal conductivity ¦Ê(T) measurements, in the temperature range between 100 and 290K. The Seebeck coefficient is positive in the studied temperature range which indicates a hole-like conduction, its magnitude increases with both the temperature and the processing time, up to reach values close to 375¦ÌV/K. The electrical resistivity shows a weak semiconducting behavior, its magnitude increases with the processing time up to reach values close to 14m¦¸cm. ¦Ê(T ) decrease with processing time up to reach 0,4W/mK. From S(T ), ¦Ñ(T ) and ¦Ê(T ) data it was possible to determine the thermoelectric figure of merit (ZT), which reaches maximum values of ¡« 0,3 at room temperature.