InGaN MQW Laser Diodes Grown on an n-GaN Substrate with a Backside n-Contact

• Autores: M. Mizuta, M. Kuramoto, A. A. Yamaguchi, A. Usui
• Localización: IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 83, Nº 4, 2000, págs. 552-559
• Idioma: inglés
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