Improved Carrier Confinement by a Buried p-Layer in the AlGaN/GaN HEMT Structure

• Autores: K. Shiojima, N. Shigekawa, T. Suemitsu
• Localización: IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 83, Nº 12, 2000, págs. 1968-1970
• Idioma: inglés
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