Surface Passivation Process for GaN-Based Electronic Devices Utilizing ECR-CVD SiNx Film

• Autores: S. Oyama, H. Hasegawa, T. Hashizume, R. Nakasaki, S. Y. Ootomo
• Localización: IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 84, Nº 10, 2001, págs. 1455-1461
• Idioma: inglés
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