Temperature Compensation Technique of InGaP/GaAs Power HBT with Novel Bias Circuit Using Schottky Diodes

• Autores: T. Tanaka, K. Murayama, M. Nishijima, M. Yanagihara
• Localización: IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 84, Nº 10, 2001, págs. 1379-1382
• Idioma: inglés
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